LED外延芯片用砷化镓衬底.pdf

LED外延芯片用砷化镓衬底

1范围

本文件规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底（以下简称“砷化镓衬底”）的技术要求、试验方法

和检验规则、标志、标签，以及包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。

本文件适用于砷化镓衬底的生产、测试、检验分析及质量评价。LD外延芯片用砷化镓衬底可参照执

行。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T2828.1—2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计

划

GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜层电阻测试方法非接触涡流法

GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T6621硅片表面平整度测试方法

GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T8760砷化镓单晶位错密度的测量方法

GB/T11093液封直拉法砷化镓单晶及切割片

GB/T13387硅及其电子材料晶片参考面长度测试方法

GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法

GB/T14110硅片直径测量方法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T14844半导体材料牌号表示方法

GB/T20228砷化镓单晶

GB/T25915.1—2021洁净室及相关受控环境第1部分：按粒子浓度划分空气洁净度等级

3术语和定义

GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

4分类和牌号

1

4.1分类

4.1.1砷化镓衬底按导电类型分为n型和p型两种类型；

4.1.2砷化镓衬底按直径分为Ф50.8mm(Ф2)、Ф76.2mm(Ф3)、Ф100.0mm(Ф4)、Ф150.0mm(Ф6)、

Ф200.0mm(Ф8)五种规格。

4.2牌号

砷化镓衬底牌号表示按GB/T14844的规定。

5技术要求

5.1电学性能

砷化镓衬底的电学性能（电阻率、迁移率、载流子浓度、截面电阻率不均匀性）应符合表1的规定。

表1砷化镓衬底的电学性能

要求

序号项目

np

电阻率-2-3-1-3

11×10～1×101×10～1×10

Ω·cm

迁移率

22≥1000≥40

cm/(V·s)

载流子浓度17181719

3-31×10～5×101×10～5×10

cm

4截面电阻率不均匀性