开关损耗吸收回路.ppt

开关损耗与吸收回路在硬开关电路的开关中，存在三种损耗：

（1）开通时，由续流二极管的反向恢复电流引起的浪涌电流，会导致较大的导通损耗；

（2）开通时，MOSFET的寄生结电容放电会引起损耗；

（3）关断时，MOSFET的结电容电压的快速增加，会导致较大的关断损耗。一、开关损耗(switchloss)的组成对感性负载对阻性负载开关功耗PS(switchingloss)通态功耗PON断态损耗POFF一般忽略驱动损耗PGATE根据不同器件确定吸收回路的损耗根据具体的吸收回路及其参数而定有电导调制效应的器件Ic上升Uon不见得上升MOSFET、IGBT等压控器件的驱动损耗要小于电流型驱动器件开通和关断损耗开通损耗关断损耗(有电感或漏感)除了buck变换器外，有如下情况。通常考虑关断损耗的转移。VgsURtURPIRPUFtFt0t1t2trr=t2-t0二、二极管的关断损耗N-PIFUR,UF+D的损耗在高频下是重要的损耗IGBT逆变器中二极管的关断过程PN三、吸收回路1.RCDsnubber在关断时加吸收回路后抑制了器件两端电压的上升率，减小了关断损耗。1.RCDsnubberwithoutWithsnubber2.电容C1的计算关断时间关断时承受的最大电压3.电阻R1的计算电阻R1上的功耗通态时间3.RCDsnubber的等效接法无源无损缓冲电路的结构原理针对硬开关电路的上述损耗构成，一个基本的无源无损缓冲电路一般都包含三个功能回路：

（1）开通缓冲回路，通常是在主开关管上串联一个限流电感器L；

（2）关断缓冲回路，通常是在主开关管上并联一个吸能电容器C；

（3）馈能回路，通常是用一个隔离二极管将能量回馈给电源或负载。

无源无损缓冲电路的三功能回路结构特点，虽然无法象有源软开关方案那样，在超前或滞后主开关的控制时序下吸收能量或供给能量，以创造出真正的ZVS或ZCS条件，但它通过将开关期间的电压与电流波形错开，使二者的重叠面积最小，可以显著降低开关损耗。考虑到无源无损缓冲电路没有引入辅助有源器件，和其它软开关方案相比，它没有增加额外的辅助有源器件损耗，因此，在同样的开关损耗功率降低情况下，无源无损缓冲电路可以获得更高的效率提高.