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模拟电子技术根底选择题
·在绝对零度〔0K〕时，本征半导体中_________载流子。
A.有B.没有C.少数D.多数
·在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。
A.负离子B.空穴C.正离子D.电子-空穴对
半导体中的载流子为_________。
A.电子B.空穴C.正离子D.电子和空穴
.N型半导体中的多子是_________。
A.电子B.空穴C.正离子D.负离子
.P型半导体中的多子是_________。
A.电子B.空穴C.正离子D.负离子
·当PN结外加正向电压时，扩散电流_________漂移电流。
A.大于B.小于C.等与
·当PN结外加反向电压时，扩散电流_________漂移电流。
A.大于B.小于C.等于
在单级共射放大电路中，假设输入电压为正弦波形，那么vo和vi的
相位_________。
A.同相B.反相C.相差90度D.不确定
·在单级共基放大电路中，假设输入电压为正弦波形，那么vo和vi的
相位_________。
A.同相B.反相C.相差90度D.不确定
·既能放大电压，也能放大电流的是_________组态放大电路。
A.共射B.共集C.共基D.不确定
·在单级共集放大电路中，假设输入电压为正弦波形，那么vo和vi的
相位_________。
A.同相B.反相C.相差90度D.不确定
·可以放大电压，但不能放大电流的是_________组态放大电路。
A.共射B.共集C.共基D.不确定
·可以放大电流，但不能放大电压的是_________组态放大电路。
A.共射B.共集C.共基D.不确定
·在共射、共集和共基三种根本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的
是_________组态。
A.共射B.共集C.共基D.不确定
在共射、共集和共基三种根本放大电路组态中，输入电阻最大的
是_________组态。
A.共射B.共集C.共基D.不确定
在共射、共集和共基三种根本放大电路组态中，输入电阻最小的
是_________组态。
A.共射B.共集C.共基D.不确定
在共射、共集和共基三种根本放大电路组态中，输出电阻最小的
是_________组态。
A.共射B.共集C.共基D.不确定
·多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比他的任何一级都_________。
A.大B.小C.宽D.窄
多级放大电路的级数愈多那么上限频率fH越_________。
A.大B.小C.宽D.窄
多级放大电路的级数愈多那么高频附加相移_________。
A.大B.小C.宽D.窄
·场效应管是利用外加电压产生的_________来控制漏极电流的大小的。
A.电流B.电场C.电压
场效应管是_________器件。
A.电压控制电压B.电流控制电压
C.电压控制电流D.电流控制电流
·三极管是_________器件。
A.电压控制电压B.电流控制电压
C.电压控制电流D.电流控制电流
结型场效应管利用删源极间所加的_________来改变导电沟道的电阻。
A.反偏电压B.反向电流C.正偏电压D.正向电流
·场效应管漏极电流由_________的漂移运动形成。
A.少子B.电子C.多子D.两种载流子
沟道结型场效应管的夹断电压Vp为_________。
A.正值B.负值C.vGSD.零
·N沟道结型场效应管的夹断电压VP为_________。
A.正值B.负值C.零
·P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为_________。
A.正值B.负值C.零
·所谓电路的最大不失真输出功
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