第10题第八组柯一雄.ppt

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《半导体物理学》第八组简并半导体vs.非简并半导体113071100181

简并半导体vs.非简并半导体2

简并半导体vs.非简并半导体简并半导体与非简并半导体的区别形成简并半导体的条件进入简并时所对应的掺杂浓度、温度3

简并与非简并半导体的区别非简并半导体(n型为例)简并半导体??4

形成简并半导体的条件?-4-3-2-101234.016.043.115.291.6781.3962.5023.9775.771.014.026.043.120.307.7261.6173.4767.384归类非简并弱简并简并(教材P83图3-17)5

形成简并半导体的条件?分类非简并弱简并简并强简并?6

简并半导体临界掺杂浓度?7

简并半导体临界温度?8

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