60N18 N通道增强模式电源MOSFET深圳恒锐丰科技.pdf

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60N18(文件编号：SCIC1925)N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Description

FeaturesApplication

60V,10ALoadSwitch

RDS(ON)16.8mΩ@VGS10VPWMApplication

RDS(ON)23.5mΩ@VGS4.5VPowermanagement

AdvancedTrenchTechnology

ProvideExcellentRDS(ON)andLowGateCharge100%UISTESTED!

Leadfreeproductisacquired100%ΔVdsTESTED!

60N18

SOP-8MarkingandpinAssignmentSchematicDiagram

AbsoluteMaximumRatings(T25℃unlessotherwisespecified)

SymbolParameterMax.Units

VDSSDrain-SourceVoltage60V

VGSSGate-SourceVoltage±20V

TA25℃10A

IDContinuousDrainCurrent

TA100℃6.5A

IDMPulsedDrainCurrentnote140A

EASSinglePulsedAvalancheEnergynote249mJ

PDPowerDissipationTA25℃3W

RθJAThermalResistance,JunctiontoAmbient41.7℃/W

T,TOperatingandStorageTem

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