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[Table_Page]行业专题研究|电子
2024年3月19日
证券研究报告
[Table_Title]
“AI的裂变时刻”系列报告4
GTC发布BlackwellGPU，CoWoS+HBM升级带动算力大幅提升
[Tabl
分析师：王亮分析师：耿正分析师：焦鼎
e_Author]SAC执证号：S0260519060001SAC执证号：S0260520090002SAC执证号：S0260522120003
SFCCE.no:BFS478
021021
gfwangliang@gengzheng@jiaoding@
请注意，耿正,焦鼎并非香港证券及期货事务监察委员会的注册持牌人，不可在香港从事受监管活动。
[Table_Summary]
核心观点：
⚫NVIDIAGTC2024发布BlackwellGPU，CoWoS+HBM升级带动算力大幅提升。根据NVIDIA官网信息，3
月18日，NVIDIAGTC2024开幕，英伟达CEO黄仁勋发表了演讲，首次展示了Blackwell平台。BlackwellGPU
包含2080亿个晶体管，采用定制的台积电4NP工艺制造，由两个尺寸接近掩模版极限的GPU芯片组成，通
过10TB/s的芯片到芯片链路连接到单个统一的GPU中，并配备8个HBM3E内存，HBM容量为192GB，
内存带宽达8TB/s。BlackwellGPU的AI性能是上一代Hopper的5倍，片上存储容量是Hopper的4倍。
⚫CoWoS持续向更大封装尺寸演变，推动芯片算力和HBM容量提升。在过去十年间，CoWoS-S技术已经迭代
了五代，在中介层尺寸、可容纳晶体管数量及HBM数量、电源完整性和信号完整性等方面都有了显著的进步。
目前，第五代CoWoS-S已经可以实现四个掩模版拼接，中介层达到3倍掩模版尺寸（~2600mm2）。但是当
CoWoS-S扩展至4倍掩模版尺寸，即12个HBM时，复杂的多掩模版拼接在技术和产量上都具有很大的挑战
性，大尺寸的硅中介层也面临着良率问题。台积电开发了CoWoS-L以解决大尺寸硅中介层中的技术瓶颈和良
率问题。
⚫HBM配置不断升级，持续向更高带宽、更大容量发展。HBM是NVIDIA数据中心GPU最重要的升级方向之一。
CoWoS工艺的进步使得中介层尺寸不断扩展，允许封装更多的HBM，以提升内存容量和带宽。HBM持续向
更高带宽、更大堆叠高度、更大DR
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