EDA走线重点关注讲解0827.ppt

张增科2014-08-27在layout走线时重点关注讲解深圳市东方拓宇科技有限公司ShenzhenEastaeonTechnologyCo.,Ltd*手机各部分模块BB,MCP,PMU,CHG;LCD/CTP/BL/CAMERA/FLASH;SPK/PA,REC,MIC,JACK;SIM,TCARD,USB,MOTO,KEY/KEYLED;G/M/ALSPS/GYRO/HALL/CH_LT;I2C/MIPI/SPI/GPIORFTransceiver/RFPA/RFSAW/Duplex/TCXOWLAN/BT/GPS/FM主芯片CPU+MCP+PMUMTK的MMD模块化方案提供了最佳的CPUMCPMemoryLayout设计，尽可能的完全导入此模块，以提高效率和正确性。电源传输网络(PDN)涉及到到电源传输路径上电源的走线(trace)、电源和接地之大、小钻孔(PWR/GNDvia)和去耦合电容的数量及位置。此部分走线完成后提交MTK做信号完整性(SI)和电源网络(PDN)的仿真。32.768KHZ和26MHZ时钟信号32K时钟信号线需立体包地保护，焊盘下方临层避免走线,尤其省32K晶体的走线。收发器MT6166/9输出到CPU/PMU/WLAN的26M时钟信号线需立体包地保护,避开干扰信号。32.768KHZ和26MHZ时钟信号32K时钟信号线需立体包地保护，焊盘下方临层避免走线,尤其省32K晶体的走线。稳压二极管和电源去耦电容稳压管:保护PMU不被外界电压不稳产生的浪涌所击坏，故应放电池连接器正极旁边，VBAT走线到PMU前需先经过稳压管。注意：VBAT测试点位置最好在电池座处，以便外界供电也先过稳压管。电源的去耦电容：在走线时电源线要先经过去耦电容再到芯片管脚，以便起到稳压作用。稳压二极管和电源去耦电容电源的稳压电容。ISENSEBATSNS走线ISENSEBATSNS是用于充电检测，必须以差分形式从IC走到RSENSE两端，最好上下左右包地，若有难度，至少左右包地，上下层避免与电源线平行PWM信号即LCD背光调节信号PWM信号是做好包地，避免跟其他信号相邻而造成干扰（尤其是音频射频线）。LCD背光部分器件放到屏蔽罩或是做好地线隔离。LRSTB信号线必须用地保护LRSTB信号线必须用地保护，LRSTB上的压敏电阻靠近连接器，就近接到主地，不要分支走线接地。VCAMA电源走线VCAMA电源线必须立体保护，电容单点下主GND,防止干扰。摄像头的MCLK和PCLKMCLK和PCLK必须上下左右包地不与电源并行，减少换层到连接器至少要左右包地处理，上下避免与电源线平行MIPI信号DSI和CSILCD的MIPI信号：MIPI_TDPx，MIPI_TDNx,MIPI_TCP/TCNCamera的MIPI信号：MIPI_RDPx，MIPI_RDNx,MIPI_RCP/RCN音频部分走线MICBIAS0/1，ACCDET等模拟电源和信号需要全方位包地，并且远离高频信号和大电流。MIC输入，Receiver输出，Speaker输出均需要平行差分走线，并且上下左右包地处理，小板和FPC走线也需要注意。MIC、Receiver，Speaker的ESD器件和滤波器件要靠近其焊盘摆放，走线注意其先后顺序；SPKAmp的P/N需要并排差分走线，宽度尽量宽,距离短，并且做好包地处理，线宽15mil。所有音频线路远离射频PA，不要直接从CPU、PMU和MEMORY下面走线。音频部分走线音频部分走线音频部分走线音频部分走线USB走线DPDMUSB走线必须阻抗为90-ohm差分,上下左右包地,线尽量短，并减少换层；USB_VRT电阻靠近CPU摆放；ESD器件要靠近USB座管脚，放同一面；SIM1_CLK和SIM2_CLK走线SIM1_CLK和SIM2_CLK需单独包地，且从焊盘处直接下内层走线；CLK表层走线太长会对射频产生26M倍频干扰SIM1_CLK和SIM2_CLK走线SIM1_CLK和SIM2_CLK需单独包地，且从焊盘处直接下内层走线；CLK表层走线太长会对射频产生26M倍频干扰T-CARD走线注意点MSDC1_CLKMSDC1_CMD上下左右包GND；MSDC1databus一起包地；所有MSDC信号有长度要求，误差=300mil；T卡的供电VMCH的滤波电容要靠近卡座摆放；DifferentialPairThankyou！