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2024-04-20 发布于四川
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一种WS2-As0.6P0.4−hBN异质结构中的双栅可调的光电探测器及其制备方法.pdf

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本发明涉及双栅皆可调的光电探测器技术领域，具体公开了一种WS2‑As0.6P0.4‑hBN异质结构中的双栅可调的光电探测器及其制备方法，双栅可调的光电探测器包括衬底、第一材料层、第二材料层、第三绝缘层、源电极以及漏电极，栅电极；第一材料层为各向同性的N型WS2材料层；第二材料层为各向异性的P型As0.6P0.4材料层；第二材料层的一端与第一材料层的表面接触；第三材料层为六方氮化硼为绝缘层。WS2为n型材料，As0.6P0.4为P型材料，与两种材料结合成N‑P异质结，上方的氮化硼通过调节As0.6

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117913175A

(43)申请公布日2024.04.19

(21)申请号202311772288.X

(22)申请日2023.12.21

(71)申请人南昌中科半导体

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