电子技术与应用项目化教程 课件 项目1第二讲 认识二极管 .ppt

LOGO项目一——认识二极管项目一认识二极管（第2讲）学习内容：1.认识二极管。2.二极管的伏安特性。3.特殊二极管的内部结构、特性和用途。4.二极管的检测。学习要求：目的：了解二极管内部结构和导电性能，理解其伏安特性和参数的含义，掌握其型号和管脚检测方法。重点：二极管的伏安特性、型号和检测方法。难点：二极管的伏安特性和检测方法。一、认识二极管

1.晶体二极管的结构、符号晶体二极管是由一个PN结，加上接触电极、引线和管壳构成。它有两个电极，由P型半导体引出的是正极（又称阳极），由N型半导引出的是负极（又称阴极）。二极管结构和符号如图所示。(a)电路(b)符号小功率二极管多采用玻璃或塑料封装，大功率二极管一般使用金属外壳，并制作成螺栓式或平板压接式。下图从左至右是从小功率到大功率的各种二极管封装形式。二极管的常见封装形式半导体二极管图片2.半导体二极管类型（1）按照材料分类：硅二极管和锗二极管；（2）按照结构分为：点接触型、面接触性和集成平面型。1）点接触型二极管PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。3)平面型二极管往往用于集成电路制造工艺中。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。2)面接触型二极管PN结面积大，用于工频大电流整流电路。(b)面接触型3.半导体二极管的参数(1)最大整流电流IF——二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。(2)反向击穿电压VBR——和最大反向工作电压VRM二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压VBR。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压VRM一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。(3)反向电流IR在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。4．二极管的型号二极管的品种很多，各类二极管用不同型号来表示，国产二极管的名称由五部分组成，其符号意义见表1-2。第一部分（数字）第二部分(汉语拼音字母)第三部分(汉语拼音字母)第四部分（数字）第五部分(汉语拼音字母)电极数目：2—二极管材料与极性：A—N型锗B—P型锗C—N型硅D—P型硅二极管类型：P—普通管W—稳压管Z—整流管K—开关管E—发光管U—光电管二极管序号：表示同一类型中某些性能与参数的差别规格号：表示同型号中的档别例如：2DP6是P型硅普通二极管；2AK6是N型锗开关二极管；例如：2CZ14F是N型硅整流二极管系列中的F挡。二、二极管的伏安特性二极管的伏安特性是指通过二极管的电流与其两端电压之间的关系。二极管的伏安特性，可以用图所示电路测定。(a)测正向特性(b)测反向特性图测试二极管伏安特性电路1.正向特性硅二极管的死区电压Uth=0.5V左右，锗二极管的死区电压Uth=0.1V左右。当0＜U＜Uth时，正向电流为零，Uth称为死区电压或开启电压。当U＞0即处于正向特性区域。正向区又分为两段：当U＞Uth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。2.反向特性当U＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：当UBR＜U＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当U≥UBR时，反向电流急剧增加，UBR称为反向击穿电压。半导体二极管由一个PN结构成，它同样具有单向导电性。实际的二极管伏安特性曲线如图所示。二极管的伏安特性你会做吗？何谓死区电压？硅管和锗管死区电压的典型值各为多少？为何会出现死区电压？二极管的伏安特性曲线上分为几个区？能否说明二极管工作在各个区时的电压、电流情况？为什么二极管的反向电流很小且具有饱和性？例：设二极管为理想二极管，其反向击穿电压为25V，试求图1.21所示各电路中的电流I。2V为正向电压且>0.7v,二极管工作在正向导通区。I=2÷2=1mA10v为反向电压且<25v,二极管工作在反向截止区。