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本发明公开了一种硅柱阵列、刻蚀方法和应用，在硅衬底片表面设置基于硅柱图形的二氧化硅硬掩膜；利用二氧化硅硬掩膜掩蔽，对硅衬底片进行单次硅刻蚀，单次硅刻蚀过程持续至刻蚀深度达到要求，硅衬底片表面形成硅柱；单次硅刻蚀的工艺参数为：刻蚀气体为SF6，钝化气体为O2和Hbr，刻蚀压力为55～65W，偏置功率为45W～55W，偏置功率频率为110Hz～130Hz；偏置功率循环为75％～85％，源射频功率为1000W～1300W；剥离二氧化硅硬掩膜，完成硅柱阵列刻蚀。可使硅柱侧壁的漫反射变为镜面反射，提高薄膜
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117712200A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202311705250.0
(22)申请日2023.12.12
(71)申请人西安微电子技术研
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