半导体结构的形成方法及FinFET器件的制造方法.pdfVIP

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2024-03-09 发布于四川
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半导体结构的形成方法及FinFET器件的制造方法.pdf

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本发明提供了一种半导体结构的形成方法及FinFET器件的制造方法，所述形成方法包括：提供一衬底，衬底上形成有多个间隔排列的鳍片；在衬底上形成第一介质层，第一介质层至少填充至多个鳍片的部分高度；在第一介质层上形成图形化的掩模层，图形化的掩模层定义截断区域；执行蚀刻工艺去除开口内的鳍片，并在第一介质层中形成间隙，利用间隙截断鳍片。本发明通过首先形成完整的鳍片，以减轻蚀刻形成鳍片时的负载效应从而提高鳍片的尺寸稳定性，再在截断鳍片(去除部分鳍片)时，利用第一介质层及图形化的掩模层保护开口之外的鳍片，防止

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117672969A

(43)申请公布日2024.03.08

(21)申请号202211008890.1

(22)申请日2022.08.22

(71)申请人上海集成电路装备材料产业创新中

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