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一、基本概念（简单解释或说明，每题6分，共60分）
单电子近似
有效质量的物理意义
微分负阻效应
电子的共有化
非简并
热载流子
连续性方程及意义
隧道效应
二、定性解释或说明（每题15分，共30分）
（1）N型硅中电子浓度与温度的关系如图1所示，试定性
解释此关系曲线产生的
（2）中载流子在过程中为什么会遭到散射？并
简述中的主要散射机构
三、计算与推导（共60分）
（1）（20分）试证明中载流子通过复合复合的
普遍理论
Nrr(np−n2)
Utnpi
r(n+n)+r(p+p)
n1p1
E−EE−E
其中n1Ncexp(tc)，p1Nvexp(vt)
kTkT
00
（2）（20分）如下图所示，稳定光照射在一块均匀掺杂的
N型中，均匀产生非平衡载流子g，在的一端存
p
在表面复合，表面复合速度是S，已知少子的扩散系数是
p
D，求小注入下，少子的分布
p
kT
（3）（10分）试推导爱因斯坦关系式Dn0
μq
n
（4）（10分）试证明中当μ≠μ，且电子浓度
np
μμ
n=nip，空穴浓度p=n=nin时，材料的电脑率σ最小，并
μμ
np
求σ的表达式
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