集成电路封装与测试技术-全套PPT课件.pptx

集成电路封装与测试技术 ;概述;芯片制造与封装工艺流程;前道生产流程：（1）单晶制备;前道生产流程：（2）WAFER制造;前道生产流程：（3）芯片制造;前道生产流程：（4）芯片制造;前道生产流程：（5）测试;后道生产流程：（6）芯片切割;后道生产流程：（7）芯片的粘贴;后道生产流程：（8）芯片互连;后道生产流程：（9）切筋打码成型;后道生产流程：（10）老化测试;后道生产流程：（11）电性能测试;后道生产流程：（12）打码;课程主要内容;电子封装的作用;电子封装的层次;电子封装层次;电子封装分类;电子封装分类;电子组装;电子组装;典型封装器件;封装技术的历史;封装技术的历史;;封装的定义;封装工艺流程;芯片的减薄与切割;芯片的减薄;晶圆减薄前的表面;芯片的减薄;硅片的磨削与研磨;硅片的应力消除;硅片的抛光与等离子体腐蚀;干式抛光的磨轮;TAIKO工艺;晶圆的切割;在高速电子元器件上逐步被采用的低介电常数(Low-k)膜及铜质材料，由于难以使用普通的金刚石磨轮刀片进行切割加工，所以有时无法达到电子元件厂家所要求的加工标准。为此，迪思科公司的工程师开发了可解决这种问题的加工应用技术。减少应力对硅片的破坏作用

先在切割道内切开2条细槽(开槽)，然后再使用磨轮刀片在2条细槽的中间区域实施全切割加工。通过采用该项加工工艺，能够提高生产效率，减少甚至解决因崩裂、分层(薄膜剥离)等不良因素造成的加工质量问题。;激光开槽加工;激光开槽加工;激光开槽加工;激光全切割工艺

本工艺是在厚度200μm以下的薄型晶片表面(图案面)，用激光照射1次或多次，切入胶带实现晶片全切割的切割方法。因为激光全切割可以加快进给速度，从而可以提高生产效率。;GaAs化合物半导体的薄型晶片切割

;DBG＋DAF激光切割

;全激光切割应用于DAG效果;DAF激光切割的优点

1、可改善DAF的加工质量

采用激光切割技术可以抑制采用磨轮刀片切割DAF时产生的毛边。;2、能够进行高速切割，提高生产效率

与磨轮刀片切割相比，可以提高DAF全自动切割时的加工速度。

3、利用特殊校准，可以解决芯片错位问题

;隐形切割技术;隐形切割技术;隐形切割的优点;隐形切割的加工实例;隐形切割的加工实例;隐形切割的加工实例;隐形切割的加工实例;;芯片的粘贴技术;芯片的粘贴技术分类;共晶粘贴法;共晶粘贴的应用;共晶;共晶粘贴图示（AuSn焊料）;共晶粘贴材料;共晶粘贴（预成型片法）;预成形片;共晶粘贴的其他方法（AuSn）;共晶粘贴（电镀法）;电镀法;电流密度对电镀的影响;电镀AuSn结构（下图为直接电镀）;共晶粘贴法（蒸发法）;蒸发法;共晶粘贴注意事项;焊接粘贴法;导电胶粘贴法;各向同性导电胶;各向异性导电胶;各向异性导电胶;导电胶使用注意事项;玻璃胶粘贴法;总结;;芯片的互联技术;芯片的粘贴技术分类;引线键合;引线键合;三种基本的引线键合方法;球形键合;球形键合;楔形键合;楔形键合;键合接头形貌;键合设备;楔形键合楔形,手工键合机;楔形劈刀和毛细管劈刀;载带键合技术;什么是TAB?;TAB工艺步骤;凸点的制作——I;凸点的制作——II;凸点的制作——示意图;凸点的制作——示意图;TAB薄膜载带的制作;;内引线键合(ILB);外引线键合(OLB);倒装芯片键合;什么是倒装芯片？;第一步：凸点底部金属化;第二步:回流形成凸点;第三步：倒装芯片组装;第四步：底部填充与固化;;厚膜薄膜技术的区别;厚膜工艺技术;厚膜技术;厚膜技术工艺流程;（1）丝网印刷;（2）厚膜浆料的干燥;（3）厚膜浆料的烧结;厚膜材料;氧化铝陶瓷基板;多层陶瓷基板;厚膜多层法

厚膜多层法是在烧成的氧化铝基板上交替地印刷和烧结厚膜导体（如Au、Ag-Pd等）与介质浆料而制成，导体层之间的连接是在介质层上开孔并填入导体浆料，烧结后而相互连接起来。

印刷多层法

它是在生的氧化铝陶瓷基板上印刷和干燥Mo、W等导体层，然后再其上印刷和干燥与基板成分相同的Al2O3介质浆料，反复进行这种工序到所需层数，再将这种基板在1500-1700的还原气氛中烧成，基板烧成后，在导体部分镀镍、金以形成焊区，焊接外接元件。

;;厚膜物质组成;（1）有效物质;（2）粘贴成分;（3）有机粘贴剂

;（4）溶剂或稀释剂

;;;焊接材料;焊料;湿润角;焊料的形式和作用;焊料的形式和作用;焊膏;（3）焊接加热时，由于熔融焊膏的表面张力可以校正元器件位置的微小偏离。

2、焊膏的分类和组成

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