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AP80N04Y
40VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP80N04Yusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
司
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
公
限
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures有司
技
V=40VI80A
DSD科公
Type：5.5mΩ）限
RDS(ON)7.5mΩ@VGS=10V（
丰有
锐
Application技司
恒科公
Batteryprotection
市丰限
圳
深Loadswitch锐有司
Uninterruptiblepowersupply技
恒科公
市丰限
圳有
PackageMarkingandOrderingInformation
深锐司
ProductIDPack技MarkingQty(PCS)
恒科公
AP80N04YTO-251L-3LAP80N04YXXXXYYYY4000
市丰限
AP80N04Y圳TO-251S-3LAP80N04YXXXXYYYY4000
深锐有司
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C恒技公
SymbolPa
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