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AP80P02NF
-20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP80P02NFusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
司
operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This
公
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
限
orinotherSwitchingapplication.
有
GeneralFeatures技司
V=-20VI-80A公
DSD科限
丰
RDS(ON)5.2mΩ@VGS4.5V(Type:3.8mΩ)
锐有司
恒技
Application科公
市限
Batteryprotection丰
圳锐有
深Loadswitch恒技司
Uninterruptiblepowersupply科公
市丰限
圳锐有
深恒技司
市科公
PackageMarkingandOrderingInformation丰限
ProductID圳PackMarkingQty(PCS)
深锐有
AP80P02NFPDFN5*6-8LAP80P02NFXXXYYYY5000司
恒技公
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)科
C市限
Symbol
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