三极管共射放大特性.ppt

关于三极管共射放大特性第1页，讲稿共19页，2023年5月2日，星期三三极管的共射特性曲线

三极管的特性曲线是描述三极管各个电极之间电压与电流关系的曲线，它们是三极管内部载流子运动规律在管子外部的表现。三极管的特性曲线反映了管子的技术性能，是分析放大电路技术指标的重要依据。三极管特性曲线可在晶体管图示仪上直观地显示出来，也可从手册上查到某一型号三极管的典型曲线。

三极管共发射极放大电路的特性曲线有输入特性曲线和输出特性曲线，下面以NPN型三极管为例，来讨论三极管共射电路的特性曲线。第2页，讲稿共19页，2023年5月2日，星期三1、输入特性曲线

输入特性曲线是描述三极管在管压降UCE保持不变的前提下，基极电流iB和发射结压降uBE之间的函数关系，即

三极管的输入特性曲线如下图所示。由图可见NPN型三极管共射极输入持性曲线的特点是：UBE虽己大于零，但iB几乎仍为零，只有当uBE的值大于开启电压后，iB的值与二极管一样随uBE的增加按指数规律增大。硅晶体管的开启电压约为0.5V，发射结导通电压Von约为0.6～0.7V；锗晶体管的开启电压约为0.1V，发射结导通电压约为0.2～0.3V。第3页，讲稿共19页，2023年5月2日，星期三的情况。CE=0V，UCE=0.5V和UCE=1V第4页，讲稿共19页，2023年5月2日，星期三当UCE=0V时，相当于集电极和发射极短路，即集电结和发射结并联，输入特性曲线和PN结的正向特性曲线相类似。

当UCE=1V，集电结已处在反向偏置，管子工作在放大区，集电极收集基区扩散过来的电子，使在相同uBE值的情况下，流向基极的电流iB减小，输入特性随着UCE的增大而右移。

当UCE1V以后，输入特性几乎与UCE=1V时的特性曲线重合，这是因为Vcc＞lV后，集电极已将发射区发射过来的电子几乎全部收集走，对基区电子与空穴的复合影响不大，iB的改变也不明显。UCE必须大于l伏，所以，只要给出UCE=1V时的输入特性就可以了。第5页，讲稿共19页，2023年5月2日，星期三2、输出特性曲线

输出特性曲线是描述三极管在输入电流iB保持不变的前提下，集电极电流iC和管压降uCE之间的函数关系，即

??????三极管的输出特性曲线如下图所示。由图可见，当IB改变时，iC和uCE的关系是一组平行的曲线族，并有截止、放大、饱和三个工作区。?第6页，讲稿共19页，2023年5月2日，星期三第7页，讲稿共19页，2023年5月2日，星期三（1）截止区IB=0特性曲线以下的区域称为截止区。此时晶体管的集电结处于反偏，发射结电压uBE＜0，也是处于反偏的状态。由于iB＝0，在反向饱和电流可忽略的前提下，iC=βiB也等于0，晶体管无电流的放大作用。处在截止状态下的三极管，发射结和集电结都是反偏，在电路中犹如一个断开的开关。实际的情况是：处在截止状态下的三极管集电极有很小的电流ICE0，该电流称为三极管的穿透电流，它是在基极开路时测得的集电极-发射极间的电流，不受iB的控制,但受温度的影响。第8页，讲稿共19页，2023年5月2日，星期三截止区：e结,c结均为反偏，BJT无放大作用。这时IB≈0;IC≈0;UCE=UCC－ICRC≈UCC,三极管c-e间承受的电压较高，而管子中流过的电流却很少，也即c-e间的阻抗很大，如同开关的断开。第9页，讲稿共19页，2023年5月2日，星期三（2）饱和区在如图的三极管放大电路中，集电极接有电阻RC，如果电源电压VCC一定，当集电极电流iC增大时，uCE=VCC-iCRC将下降，对于硅管，当uCE降低到小于0.7V时，集电结也进入正向偏置的状态，集电极吸引电子的能力将下降，此时iB再增大，iC几乎就不再增大了，三极管失去了电流放大作用，处于这种状态下工作的三极管称为饱和。规定UCE＝UBE时的状态为临界饱和态，如上图中的虚线为临界饱和线，在临界饱和态下工作的三极管集电极电流和基极电流的关系为：????????

式中的ICS，IBS，UCES分别为三极管处在临界饱和态下的集电极电流、基极电流和管子两端的电压（饱和管压降）。第10页，讲稿共19页，2023年5月