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AP4N80DIY
800VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP4N80D/YissiliconN-channelEnhanced
VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology
司
whichreducetheconductionloss,improveswitching
公
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor
限
canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem
有
miniaturizationandhigherefficiency.司
GeneralFeatures技公
科限
丰
V=800VI4A
DSD有
锐Type：2.5Ω）司
RDS(ON)2.8Ω@VGS=10V（技
恒科公
市
Application丰限
圳锐有
深UninterruptiblePowerSupply(UPS)技司
恒公
PowerFactorCorrection(PFC)科
市丰限
圳锐有
深恒技司
市科公
PackageMarkingandOrderingInformation丰限
ProductID圳PackMarkingQty(PCS)
深锐有
AP4N80DTO-252-3LAP4N80DXXXYYYY2500司
恒技公
AP4N80YTO-251S-3LAP4N80YXXXYYYY4000
市科限
丰
Absolute
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