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AP4N15MI
150VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP4N15MIusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
司
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
公
orinotherSwitchingapplication.
限
GeneralFeatures有司
技
V=150VI4A
DSD科公
丰限
RDS(ON)320mΩ@VGS=10V(Type:280mΩ)
锐有司
Application技
恒科公
市
Automativelighting丰限
圳
深Loadswitch锐有司
Uninterruptiblepowersupply技
恒科公
市丰限
圳锐有
深恒技司
PackageMarkingandOrderingInformation科公
ProductID市PackMarkingQty(PCS)
AP4N15MI圳SOT23-3L丰MAB5限3000
深锐有司
AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)技
恒科公
SymbolParameterRatingUnits
市丰限
圳
VDSDrain-SourceVoltage150V
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