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集成电路_光刻工艺;2;3;4;5;6;7;8;9;10;11;12;13;14;15;16;17;18;19;20;21;22;23;24;紫外光为光源的曝光方式:
O-Si(CH3)3
图形内无针孔,图形外无小岛,不染色;
分步重复曝光光学原理图
(1)影响分辨率的因素:
+(CH3)3SiNHSi(CH3)3
然后带有共形掩膜的硅片在远紫外光下曝光,进一步处理,最后得到了分辨率相当高的线条和间隙结构图形。
DNQ-酚醛树脂光刻胶的化学反应
(光活泼化合物)
掩膜版的尺寸可以比实际尺寸大得多,克服了小图形制版的困难。
C、掩膜版的质量和套刻精度直接影响光刻精度;
C、掩膜版的质量和套刻精度直接影响光刻精度;
电子束曝光的特点:
2?m,金属离子含量很少
一、材料的形变小,这样制成的图形尺寸及其相对位置的变化可以忽略。
六甲基二硅亚胺HMDS反应机理;26;27;电子束曝光改变光刻图形十分简便。
C、掩膜版的质量和套刻精度直接影响光刻精度;
避免了掩膜版与硅片表面的摩擦,延长了掩膜版的寿命。
然后带有共形掩膜的硅片在远紫外光下曝光,进一步处理,最后得到了分辨率相当高的线条和间隙结构图形。
C、掩膜版的质量和套刻精度直接影响光刻精度;
远紫外光作为曝光方法通常有两种:
对准曝光和泛光曝光(不必对准)。
电子束曝光改变光刻图形十分简便。
(1)影响分辨率的因素:
然后带有共形掩膜的硅片在远紫外光下曝光,进一步处理,最后得到了分辨率相当高的线条和间隙结构图形。
电子束曝光不要掩膜版。
C、掩膜版的质量和套刻精度直接影响光刻精度;
由于使用了缩小透镜,原版上的尘埃、缺陷也相应的缩小,因而减小了原版缺陷的影响;
聚乙烯醇肉桂酸酯KPR胶的光交联(聚合)
+(CH3)3SiNHSi(CH3)3
掩膜版的尺寸可以比实际尺寸大得多,克服了小图形制版的困难。
+(CH3)3SiNHSi(CH3)3
负胶:曝光前可溶,曝光后不可溶;29;30;31;32;33;34;35;36;37;38;39;40;41
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