钝化版刻蚀氮化硅.PPT.pptxVIP

栅氧化，开启电压调整;多晶硅淀积;光刻4，刻NMOS管硅栅，磷离子注入形成NMOS管;光刻5，刻PMOS管硅栅，

硼离子注入及推进，形成PMOS管;磷硅玻璃淀积;光刻6，刻孔、磷硅玻璃淀积回流

（图中有误，没刻出孔);蒸铝、光刻7，刻铝、光刻8，刻钝化孔

（图中展示的是刻铝后的图形）;离子注入的应用;N阱硅栅CMOS工艺流程;形成N阱

初始氧化，形成缓冲层，淀积氮化硅层

–光刻1，定义出N阱

反应离子刻蚀氮化硅层

N阱离子注入，先注磷31P+，后注砷75As+;形成P阱

在N阱区生长厚氧化层，其它区域被氮化硅层保护而不会被氧化

去掉光刻胶及氮化硅层

P阱离子注入，注硼;推阱

–退火驱入，双阱深度约1.8μm

–去掉N阱区的氧化层;形成场隔离区;阈值电压调整注入光刻3，VTP调整注入光刻4，VTN调整注入;形成多晶硅栅（栅定义）;形成硅化物

淀积氧化层

反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层（spacer,sidewall

淀积难熔金属Ti或Co等

低温退火，形成C-47相的TiSi2或CoSi

去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co

高温退火，形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2;形成N管源漏区

光刻6，利用光刻胶将PMOS区保护起来

离子注入磷或砷，形成N管源漏区

形成P管源漏区

光刻7，利用光刻胶将NMOS区保护起来

离子注入硼，形成P管源漏区;形成接触孔;形成第一层金属

–淀积金属钨(W)，形成钨塞;形成第一层金属

–淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等

–光刻9，第一层金属版，定义出连线图形

–反应离子刻蚀金属层，形成互连图形;形成穿通接触孔

化学气相淀积PETEOS,等离子增强正硅酸四乙酯热分解PlasmaEnhancedTEOS：tetraethylorthosilicate[Si-

(OC2H5)4]

--通过化学机械抛光进行平坦化

光刻穿通接触孔版

反应离子刻蚀绝缘层，形成穿通接触孔形成第二层金属

淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等

光刻10，第二层金属版，定义出连线图形;合金;4)图解双阱硅栅CMOS制作流程;首先进行表面清洗，去除wafer表面的保护层和杂质，三氧化二铝必须以高速粒子撞击，并用化学溶液进行清洗。;然后在表面氧化二氧化硅膜以减小后一步氮化硅对晶圆的表面应力。

涂覆光阻(完整过程包括，甩胶→预烘→曝光→显影→后烘→腐蚀→去除光??胶)。其中二氧化硅以氧化形成，氮化硅LPCVD沉积形成(以氨、硅烷、乙硅烷反应生成)。;光刻技术去除不想要的部分，此步骤为定出P型阱区域。(所谓光刻胶就是对光或电子束敏感且耐腐蚀能力强的材料，常用的光阻液有S1813,AZ5214等)。光刻胶的去除可以用臭氧烧除也可用专用剥离液。氮化硅用180℃的磷酸去除或含CF4气体的等离子刻蚀(RIE)。;在P阱区域植入硼(+3)离子，因硅为+4价，所以形成空洞，呈正电荷状态。(离子植入时与法线成7度角，以防止发生沟道效应，即离子不与原子碰撞而直接打入)。每次离子植入后必须进行退火处理，以恢复晶格的完整性。(但高温也影响到已完成工序所形成的格局)。;LOCOS(localoxidationofsilicon)选择性氧化：湿法氧化二氧化硅层，因以氮化硅为掩模会出现鸟嘴现象，影响尺寸的控制。二氧化硅层在向上生成的同时也向下移动，为膜厚的0.44倍，所以在去除二氧化硅层后，出现表面台阶现象。湿法氧化快于干法氧化，因OH基在硅中的扩散速度高于O2。硅膜越厚所需时间越长。;去除氮化硅和表面二氧化硅层。露出N型阱区域。(上述中曝光技术光罩与基片的距离分为接触式、接近式和投影式曝光三种，常用投影式又分为等比和微缩式。曝光会有清晰度和分辩率，所以考虑到所用光线及波长、基片表面平坦度、套刻精度、膨胀系数等)。