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本申请提供一种锗硅异质结晶体管及其制造方法,其中制造方法包括:提供一衬底,衬底上依次形成有锗硅层、第一介质层和第二介质层;形成第一开口;形成第二开口;在第二开口、第一开口中以及第二介质层上形成第一多晶硅层;刻蚀STI上方的第一多晶硅层、第二介质层;形成第三介质层;去除第一介质层表面的第三介质层;采用湿法刻蚀工艺去除STI上方的第一介质层以及去除第二介质层底部的部分第一介质层;形成第二多晶硅层;去除第一多晶硅层顶部的第三介质层。本申请通过湿法刻蚀工艺去除部分第一介质层形成最终的侧墙,可以降低对基区
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117219509A
(43)申请公布日2023.12.12
(21)申请号202311191678.8
(22)申请日2023.09.14
(71)申请人华虹半导体(无锡)有限公司
地址
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