飞思卡尔单片机教学.pptxVIP

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第三章 MC9S12单片机的内核及片上资源;内核结构—存储器;用于给单片机内部提供合适的电源电压,9S12单片机内核使用2.5V供电.VDD1\2,VSS1\3,VDDPLL若使用电压调整模块,这些引脚

只用接去耦电容.注意VDD1.2的箭头是向外出的.;时钟和锁相环及相关引脚;PORTE比较特殊,其中PE5、PE6不可以作为普通I/O口用,一般用于模式选择,模式选择表见下页。PE0和PE1只能作为输

入。TEST为工厂测试脚,保留。ECLK总线时钟输出频率为振荡器的一般。NOACC:表示当前CPU并未使用总线,在BDM调试时使用。XCLKS表示:1-使用pierceoscillator,0-使用colpittsoscillator,内部有上拉电阻,所以悬空默认为1,只在RESET上升沿锁存。LSTRB:在外部使用2片8位宽度存储器时和ADDR0,R/W配合使用。可可转转到到9页页图图。。;LSTRB低有效,ADDR0=1,这时访问8位奇地址。LSTRB和ADDR0分别接两片8位宽度存储器的片选信号。在扩展窄模式

下:ADDR15..0接存储器ADDR15..0,PORTA为8位数据总线,得到16位数据必须两次操作;在扩展宽模式下:ADDR15..1接存储器ADDR14..0,PORTA:PORTB为16位数据;XADDR在11页讲;扩展窄模式地址线接法;扩展宽模式地址线接法;ATD模块及相关引脚;定时器及相关引脚;SPI、PWM及相关引脚;异步串行口及相关引脚;中断I/O口;电源引脚;A、B:CPU12有两个8位累加器,累加器A和累加器B,用来保存操作数和操作结果。可以把两个8位寄存器合起来看成一

个16位的寄存器D。若D寄存器中有一个16位的数,高8位在A寄存器中,低8位在B寄存器中。

X,Y:主要用于寻址操作,也用于临时存放数据和参与运算,只能按16位方式访问。在寻址模式中,寻址寄存器的内容

加5位、9位或16位偏移量构成有效地址,或者寻址寄存器的内容加累加器中内容构成有效地址。X、Y内容不受复位影响。由于CPU12的通用数据寄存器比较少,因此在乘法运算中需要X参与,在除法运算中需要X、Y同时参与。;S:STOP指令禁止位,该位置1将禁止CPU执行STOP指令。

X:XIRQ非屏蔽中断屏蔽位,该位置1将屏蔽XIRQ引脚的中断请求,复位默认为1。H:辅助进位,该位为累加器A的bit3向bit4进位,仅用于BCD操作。

I:可屏蔽中断屏蔽位,该位置1将屏蔽所有的可屏蔽中断源,复位默认为1。

N:符号位,当运算结果为负时,该位置1。N位实际上是运算结果最高位的拷贝。Z:0标志,当运算结果为0时,该位置1。

V:2补码运算溢出标志,当运算结果出现2补码溢出时,该位置1。

C:进位/借位标志,当加法运算产生进位或者减法运算产生借位时,该位置1。移位操作或者直接针对C的指令也改变C的值。;§3-3堆栈;举例只是中断的,如果是子程序调用,则只包含返回地址,也就是F1、80。;§3-4内部存储器—基本内存空间;EEPROM;1=寄存器空间为2KB

0=寄存器空间为1KB;存储器容量寄存器;寄存器区映射寄存器-INITRG;$39为开始地址为0010,0000,0000,0000–3FFF正好8K,高/低对齐没有意义.

12KRAM为例,复位为0,内部地址空间为0000-3FFF,这是16K地址空间,高位对齐因为只有12K,所以从1000-3FFF.;EEPROM映射寄存器-INITEE;存储器优先级

上述三个寄存器INITRG、INITRM、INITEE负责将内部资源重新映;§3-5复位及时钟—复位;振荡器和时钟电路;时钟初始化寄存器-共5个

(1)锁相环控制寄存器(PLLCTL);时钟合成寄存器(SYNR)-低6位有效,有效值0~63。

时钟分频寄存器(REFDV)-低4位有效,有效值0~15。;锁相环频率锁定标志

1=表示时钟频率已稳定,且锁定了锁相环频率。;PLL例子;实时中断使能位

1=在RTIF置位时申请中断

0=不申请来自于RTI模块的中断;RTR[6:4]——实时中断预分频选择位RTR[3:0]——实时中断分频系数选择位时钟源是外部振荡器

RTI超时周期设置参照表:;RTI程序举例;COP(看门狗)相关寄存器;1、中断源

软件中断(SWI)-内部中断源非法指令陷阱-内部中断源

非屏蔽中断( )-外部中断源

一次操作机会,打开后不能关闭。

可屏蔽中断

除上面三种类型的,其余均为可屏蔽中断。其

中 为外部中断源,其余均为内部中断源。

注:(1)每个可屏蔽中断受两层控制,一是全局中断屏蔽位,即CCR中的I位;二是各个中断源相关的本地控制位。

(2)各个中断源、中断向量表以及优先级见教材55

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