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本发明涉及半导体生产处理设备技术领域,具体是一种基片处理腔室,基片处理腔室连接晶圆传输腔室,包括:腔室本体;加热件;至少一个基片承托结构;加热件设置于腔室本体,用于调节所述腔室本体内部的温度,以使得基片表面的刻蚀副产物;基片承托结构设置于所述腔室本体的内部,且基片承托结构的第一面用于放置所述基片;腔室本体上与晶圆传输腔室的连接处设置有门阀,门阀用于通过所述基片,通过外部的电源对加热件进行温度的控制,可以调节整个腔室本体的温度,以实现对基片承托结构上基片的加热,降低现有技术中基座的厚度,更加合理利
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117174620A
(43)申请公布日2023.12.05
(21)申请号202311300649.0
(22)申请日2023.10.09
(71)申请人宸微设备科技(苏州)有限公司
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