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一种硅基前驱体中金属离子的检测方法.pdf

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    本发明公开了一种硅基前驱体中金属离子的检测方法，属于半导体材料金属离子检测技术领域。本发明包括如下步骤：S1前处理：硅基前驱体样品置于真空条件下容器中，待硅基前驱体样品挥发完全后，向容器中加入浓硝酸，再加超纯水对反应液进行稀释得到待测溶液；S2标准溶液工作曲线溶液配制：配制10mg/L的元素标准溶液，所述元素标准溶液包含标准溶液1、标准溶液2、标准溶液3；S3采用ICP‑MS对待测溶液进行金属离子检测。本发明能够有效抑制基体效应，方法简单，成本低，安全性高，检出限低，更适用于超高纯度硅基前驱体

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117092197 A (43)申请公布日 2023.11.21 (21)申请号 202311081138.4 (22)申请日 2023.08.25 (71)申请人 合肥安德科铭半导体科技有限公司 地

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