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摘要
摘要
钙钛矿强关联电子材料由于电荷、轨道、自旋和晶格之间的相互作用呈现出
丰富的物理现象,包括高温超导、多铁性、庞磁电阻效应、金属-绝缘体转变等。
锰酸镧(LMO)是典型的强关联材料,低维LMO 薄膜或超晶格中蕴含着莫特绝缘
态、拓扑绝缘态等低维量子态。例如,理论计算结果表明,以(111)取向的LMO
为基础构建的人工超晶格材料,有望在实验上实现量子反常霍尔效应。然而,
LMO 材料中的Jahn-Teller (J-T)畸变会抑制材料的拓扑相,不利于实验上量子反
常霍尔效应的实现。因此,如何表征和衡量LMO 薄膜中的J-T 畸变程度,如何
在实验上调控材料的J-T 失配,是这个领域的重点研究方向之一。
本文以LMO 外延薄膜为研究对象,薄膜制备采用脉冲激光沉积技术,使用
拉曼光谱表征外延LMO 薄膜中的J-T 畸变程度,并通过调节生长参数,包括衬
底温度、晶格应力等对LMO 外延薄膜中的J-T 畸变程度进行调控,分析了薄膜
的晶体结构、J-T 畸变、电输运性能。在此基础上制备出LMO/ LaScO (LSO)超
3
晶格,初步探究了超晶格的电学和磁学性能。主要研究内容与结果概括如下:
1. 使用脉冲激光沉积(PLD)技术,在(001)取向的 LaAlO (LAO)衬底上生长
3
LMO 外延薄膜,生长过程中结合反射式高能电子衍射仪(RHEED)确定薄膜的逐
层生长模式,并结合X 射线衍射结构表征和X 射线反射测试确定薄膜的生长速
率。进一步在不同衬底温度下生长 LMO 薄膜,并使用拉曼光谱表征薄膜的J-T
畸变程度。建立起衬底温度与J-T 畸变程度之间的联系,以及对电子局域化的影
响。
2. 利用衬底与薄膜之间晶格常数的差异,在不同衬底上分别生长出具有不
同应力的高质量LMO 外延薄膜,并利用拉曼光谱测试J-T 畸变相关声子频率的
变化以及样品的变温电输运性质,研究晶格应力对LMO 中J-T 畸变的调控和对
电子局域化程度的影响。结果表明:随着衬底压应力的增加,J-T 畸变程度逐渐
增大,电子局域化程度也进一步增加,薄膜遵循三维莫特变程跃迁导电机理。
3. 实现了LMO/LSO 超晶格的可控生长。使用RHEED 监控薄膜原位生长,
成功制备出具有不同周期结构的(001)取向的LMO/LSO 超晶格,并对超晶格进行
电、磁性能进行初步探究。基于变温电输运测试和相关模型拟合结果,发现衬底
应力对超晶格电输运性质的影响占次要因素,占主要因素的是超晶格中LMO 和
LSO 的比例,当LSO 的比例越高时,导电所需要的激活能越高。此外,磁性测
试表明,当LMO 和LSO 的比例为2:1 时,超晶格体系的饱和磁化强度最高,这
是由于Mn3+和Sc3+离子之间的磁性交换作用增强了体系的饱和磁化强度。
综上所述,本论文研究了J-T 畸变引起的材料物性相关的表征与调控,并在
I
摘要
实验上实现了外延LMO 薄膜中的J-T 畸变调控,研究了J-T 畸变对电子局域化
的影响。此外,在 LMO/LSO 超晶格中观察到由于Mn3+和 Sc3+之间存在相互作
用而增强的饱和磁化强度。这些研究结果将有利于人们进一步理解J-T 畸变并探
索与J-T 畸变相关的物理现象。
关键词:钙钛矿薄膜,外延生长,Jahn-Teller 畸变,拉曼光谱,电子局域化
II
目录
目录
摘要 I
Abstract I
第一章 绪论 1
1.1 钙钛矿锰氧化物 1
1.1.1 钙钛矿锰氧化物
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