Co3O4纳米片的制备研究.docx

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2023-10-18 发布于湖北
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Co3O4纳米片的制备研究摘要 Co3O4，是一种p型半导体材料，其禁带宽度值在常温下为1.5eV，具有正常的尖晶石结构，更重要的是其化学性质十分稳定。二维纳米结构中的片状结构有着比其他结构更大的比表面积，可以暴露其指定的晶面，并且二维结构的材料有着更好的电与力方面的性能。四氧化三钴纳米片可以有许多在各个领域方面的应用，其前景在于应用方面是十分广阔的，在传感器领域、电极材料方面、光催化催化剂、电催化剂、超级电容等方面都有用途。所以，许多研究人员致力于探究反应条件更温和的Co3O4纳米片的合成路线。本论文采用简单的水热法或溶剂热法制备合成Co3O4纳米片，借助透射电镜（TEM）、扫