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本发明公开了一种基于氧化镓基的日盲紫外探测器及其制备方法。其中,所述探测器包括:所述探测器从下至上依次包括:衬底、p型半导体薄膜;第一金属电极与Ga2O3薄膜形成的叉指结构;设置于Ga2O3薄膜表面的第二金属电极,所述第二金属电极的形状与所述Ga2O3叉指薄膜相契合。本发明采用叉指的方式进行Ga2O3与其他p型半导体异质结探测器的制备,增大了电极周长和0V偏压下载流子收集能力,并且提高反偏压时Ga2O3区域的平均电场强度,增快载流子的迁移速率,达到更高的响应度和更快的响应时间(
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116799092 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202310818728.4
(22)申请日 2023.07.05
(71)申请人 厦门大学
地址 3
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