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本发明涉及一种电调节垂直面发射氮化镓激光器,包括本体,沿本体的高度方向,本体依次具有顶部DBR层、p型GaN层、InGaN量子阱有源层以及n型GaN层,顶部DBR层周围环绕设有顶部电极,n型GaN层上的中间导电层上设有中间电极,n型GaN层的下方设有底部电极,顶部电极和底部电极之间施加有工作电压,中间电极与顶部电极之间或者中间电极与底部电极之间施加有调节电压。本发明在激光器内部施加调节电压,形成调节电场,对InGaN基量子阱有源层的局域极化进行调节,不仅可以有效减少InGaN基量子阱的能带倾斜,
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116799618 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202311071738.2
(22)申请日 2023.08.24
(71)申请人 武汉鑫威源电子科技有限公司
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