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2021考研华中科技大学901半导体物理真题完美回忆版 华中科技大学2021考研901半导体物理真题 一.名词解释4*5’ 1.共计化运动2.自旋半导体 3半导体的霍尔效应4.半导体的塞贝克效应 二．填空题10题每题两觑每空一分（都就是书上原话，但两个觑就是半导体器件的科学知识） 1.回旋共振一般是在（低温）下进行，回旋频率等于（共振频率）。 2.硅锗就是（金刚石）型晶格结构，砷化镓就是（闪锌矿）型晶格结构 3.杂质分为间隙式和（替位）式。缺陷分为（点）缺陷，线缺陷，面缺陷4.散射非为（电离杂质散射）和（晶格振动散射）。 5.（迁移率）就是载流子（电子和空穴）在单位电场促进作用下的平均值漂移速度，（扩散系数）就是沿蔓延方向，在单位时间每单位浓度梯度的条件下，横向通过单位面积所蔓延某物质的质量或摩尔数。 6.异质结通过（导电类型）的不同分为同型异质结和异型异质结，又通过（）分为ⅰ型和ⅱ型。---（第二个空课本上没有，我也不知道填什么） 7.频率对pn结性能存有非常大影响是因为pn砂藓（结电容），其中又分成（势垒电容）和扩散电容。 8.肖特基势垒二极管与pn结相比有更（大）的js,与更（低）的正向导通电压。9.单异质结激光器有更（）的禁带宽度，和更（）的折射率。---（这个真不会）10.mos型场效应管不需加电压就能形成沟道的是（）型，需要加偏置电压才能形成沟道的是（）型。（这是半导体器件物理里面的知识，应该填增强型和耗尽型） 三．作图题5*10’ 1.画出绝缘体，半导体，导体能带图，并作简要说明。 2.图画出来n型硅半导体电阻率与温度关系曲线，谢泽生详细表明。 3.金半接触的肖特基模型中n型阻挡层的形成条件是什么，画出其平衡能带图。4.画出隧道pn结的伏安特性曲线，说明其负阻的原因。 5.图画出来p型半导体在理想mis结构下，少子反型状态能带图与电荷分布。 四．简答题3*10’ 1.表述无机中心与陷阱中心的联系与区别，详尽表明。2.详尽表明pn结雪崩打穿与隧道打穿的打穿机理。3.半导体表面态的促进作用与影响 五．计算题10’ 杂质补偿型n型硅半导体，信士杂质浓度nd=4.5*10^17，（存有单位，不回忆起了），山吉杂质浓度为na=1.5*10^17.谋室温下其电导率。（后面得出了条件，可入叛载流子浓度ni，除了杂质浓度分别为3*10^17和6*10^17时迁移率的数值。） 这题书上四五六几张上的课后习题有很多类似的，选几道做一做就行。 六．论述题20’ 结合能带图，详细说明半导体发光二极管（led）的工作原理，并讨论实现白光led的方法。