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本发明属于器件封装技术领域,具体涉及一种器件及其封装方法,本发明提供了一种器件,包括基板和芯片,所述基板和所述芯片之间通过焊层连接,所述焊层包括焊膏和金属添加物,所述金属添加物包括分散于所述焊膏内的金属颗粒或设置于基板上的金属颗粒,所述金属添加物的尺寸为1‑50μm,所述金属添加物的添加量为0.01‑5wt%,所述金属添加物的熔点高于所述焊膏的熔点。在本发明中,通过将熔点高于焊膏的金属添加物分散于焊膏内,使得芯片焊接后得到的器件的平整度提升,进而提高了芯片的可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116705743 A
(43)申请公布日 2023.09.05
(21)申请号 202310979434.X
(22)申请日 2023.08.04
(71)申请人 深圳平创半导体有限公司
地址 5
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