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本公开实施例提供了一种半导体光放大器及其制备方法,该半导体光放大器包括波导结构,该波导结构呈U型,其中:波导结构的U型的两端分别为作为半导体光放大器的输入端和输出端,输入端和输出端均位于半导体光放大器的光学镀膜面,且波导结构相对光学镀膜面倾斜。这样,利用U型波导结构将输入端和输出端设置在半导体光放大器的同一端面(光学镀膜面),从而在工艺过程中,只需要镀一次光学膜,减少了工艺步骤,优化了工艺流程。另外,采用倾斜的波导结构,还有效避免了光波在半导体光放大器内部发生谐振,减小了光谱纹波。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116706678 A
(43)申请公布日 2023.09.05
(21)申请号 202310527444.X
(22)申请日 2023.05.08
(71)申请人 武汉光迅科技股份
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