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本公开提供一种氮化镓基晶体管，包括：底部结构；背势垒层，设置在底部结构上，背势垒层采用铝元素、镓元素、铟元素与氮元素组合的二元、三元或四元合金，背势垒层的铝元素组分沿背势垒层的生长方向递减，以改变氮化镓基晶体管沟道处的能带结构；沟道层，设置在背势垒层上，沟道层用于提供电流横向流通的通道；势垒层，设置在沟道层上，势垒层用于与沟道层形成异质结，通过极化效应在异质结的界面处形成二维电子气；其中，背势垒层用于限制电子在沟道层中传输，以抑制电流分散。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116682850 A
(43)申请公布日 2023.09.01
(21)申请号 202310678628.6
(22)申请日 2023.06.09
(71)申请人 中国科学技术大学
地址 2300
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