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本发明公开了一种堆叠式双忆阻器存储结构、存储电路及工作方法，每个忆阻器存储单元包括反向相连的忆阻器m1和忆阻器m2；每个忆阻器的上电极和下电极分别设有第一金属丝线和第二金属丝线；所述第一金属丝线连通读取层电路，第二金属丝线连通编码层电路；本发明采用堆叠式方法设计了编码层电路和读取层电路，二者共用忆阻器存储单元，且互相独立，同时公开了相应的工作方法，包括编码、读取和格式化方法；本发明设计的堆叠式双忆阻器存储电路结构既保证了资源的合理使用，更提升了忆阻器作为存储核心单元的稳定性，保证了存储阵列在存储
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116486871 A
(43)申请公布日 2023.07.25
(21)申请号 202211532020.4
(22)申请日 2022.12.01
(71)申请人 山西职业技术学院
地址 0300
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