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本发明提供了一种测量单晶硅中元素含量的方法及装置，属于半导体技术领域。测量单晶硅中元素含量的方法，包括：将单晶硅样品切割成固定尺寸的单晶硅样品块；形成包覆所述单晶硅样品块表面的保护膜，所述保护膜不含氧元素且所述保护膜的熔点低于所述单晶硅样品的熔点；对所述单晶硅样品块进行第一阶段的煅烧，使得所述保护膜完全挥发，所述第一阶段的煅烧温度低于所述单晶硅样品块的熔点；对所述单晶硅样品块进行第二阶段的煅烧，使得所述单晶硅样品块熔化，并对煅烧得到的气体进行检测，得到所述单晶硅样品块的氧，氮，氢含量。本发明能够
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111912811 A
(43)申请公布日 2020.11.10
(21)申请号 202010776364.4
(22)申请日 2020.08.05
(71)申请人 西安奕斯伟硅片技术有限公司
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