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在衬底上方形成包括第一绝缘层和第一牺牲材料层的第一交替堆叠的第一层结构。穿过所述第一层结构形成第一支柱结构。在所述第一层结构上方形成包括第二绝缘层和第二牺牲材料层的第二交替堆叠的第二层结构。穿过所述第二层结构形成存储器堆叠结构和第二支柱结构。用第一导电层和第二导电层代替所述第一牺牲材料层和所述第二牺牲材料层，同时所述第一支柱结构、所述第二支柱结构和所述存储器堆叠结构为所述第一绝缘层和所述第二绝缘层提供结构支撑。通过限制所述第一支柱结构在所述第一层结构内的空间范围，可以减少到背侧接触通孔结构的电短
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 109328397 A
(43)申请公布日
2019.02.12
(21)申请号 20178
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