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本发明公开了一种低界面热阻的氮化镓/金刚石复合散热层的制备方法,将抛光的自支撑氮化镓晶圆作为衬底,放置于磁控溅射镀膜装置的旋转样品台上;将腔室抽真空后通入氩气和氮气,使用高纯靶材作为射频溅射靶,在该衬底抛光表面沉积一层介质层薄膜;然后使用MPCVD设备配合偏压增强形核技术对介质层表面进行预处理;关闭偏压后,在经过预处理的介质层表面沉积高热导率的金刚石散热层,从而得到一种具有金刚石散热层的氮化镓晶片结构。本发明通过调控偏压和金刚石生长工艺制备氮化镓/金刚石复合散热层,界面热阻大小可控,具有界面热阻
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116463629 A
(43)申请公布日 2023.07.21
(21)申请号 202310476236.1 C30B 29/04 (2006.01)
(22)申请日 2023.04.
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