电子科大《集成电路工艺》第十七章课件.ppt

第十七章扩散和离子注入微固学院 张金平jinpingzhang@uestc.edu.cn1 17.1 引 言本章主要内容：p 扩散工艺和离子注入工艺p 扩散和离子注入工艺的应用p 扩散和离子注入设备本章知识要点：l 掌握掺杂的目的和应用；l 掌握扩散和离子注入的原理及其应用；l 掌握退火效应和沟道效应l 了解离子注入设备。2 17.1 引 言掺杂原因：? 本征硅导电能力很差。? 在硅中加入一定数量和种类的 杂质 ，改变其电学性质，并使掺入的杂质数量和分布情况都满足要求。3 17.1 引 言半导体常用杂质4 17.1 引 言扩散: 是将一定数量和一定种类的杂质通过高温扩散掺入到硅或其它晶体中，以