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一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底;在基底上形成一个或多个堆叠的图形传递叠层,包括堆叠的刻蚀停止层和核心材料层;对每个图形传递叠层进行图形化处理,包括:图形化核心材料层形成核心层,相邻核心层围成沟槽;形成保形覆盖的侧墙材料层,与刻蚀停止层材料相同;执行侧墙材料层的主刻蚀工艺,形成掩膜侧墙;在核心层和掩膜侧墙顶部以及沟槽中形成保护层;去除高于核心层顶面的保护层并执行侧墙材料层的过刻蚀工艺,露出核心层顶部;去除核心层和剩余保护层;掩膜侧墙用于在下次图形化处理中作为图形化核心材料层的掩膜或者作为
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113851376 A
(43)申请公布日
2021.12.28
(21)申请号 20201
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