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基于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的电压调节器电路包括第一电阻器、第二电阻器和第一MOSFET。第一MOSFET的第一栅极端子连接到第一电阻器的第二端子和第二电阻器的第一端子。第一MOSFET的第一漏极端子连接到第二电阻器的第二端子和电压调节器电路的第一输出端子。第一MOSFET经由第一电阻器在第一MOSFET的第一栅极端子处接收输入电源电压。基于输入电源电压的改变,第一MOSFET在第一输出端子处提供第一恒定输出电压。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113812087 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202080034179.6 (74)专利代理机构 中国贸促会专利商标事务所
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