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2023-07-01 发布于四川
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一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法与应用.pdf

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本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法与应用。所述氧化物薄膜晶体管、包括：基底；栅电极，设置在基底上；介质层，设置在基底上并覆盖栅电极；有源层，设置在介质层上，并与栅电极叠置；源电极和漏电极，分别设置在有源层的上表面及侧表面上，与有源层接触，并且源电极和漏电极彼此分隔开；最上层为钝化层；所述介质层材料为聚丙烯酸苯酯PPA；所述有源层材料为Ga2O3纳米线；所述钝化层的材质为掺P的Si3N4薄膜。本发明提供的薄膜晶体管具有极小的阈值电压漂移，实现了高稳定性氧化物薄膜

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113707724 A (43)申请公布日 2021.11.26 (21)申请号 202110794500.7 (22)申请日 2021.07.14 (71)申请人山东

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