超结沟槽栅MOSFET版图结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-25 发布于四川
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本发明提供一种超结沟槽栅MOSFET版图结构及其制备方法，其中版图结构包括：衬底、栅介质层、主栅极、第一辅栅极、呈环状的第二辅栅极、呈环状的伪栅极、体区、源掺杂区、层间介质层、第一导电插塞、第二导电插塞、第三导电插塞、第四导电插塞、深层注入区、第一导电层和第二导电层。本申请通过将深层注入区设计在第一至第四导电插塞底部，可以利用制备所有接触孔的光罩完成深层注入区的注入，节省了光罩，精简了制备工艺，降低了制造成本。进一步的，通过将外围终端区域中的伪栅极、第四导电插塞以及栅端引出区域中的第二辅栅极、第

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116314332 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310203962.6 (22)申请日 2023.03.06 (71)申请人华虹半导体（无锡

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