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本申请实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示面板。在本申请实施例提供的薄膜晶体管中，有源结构包括具有第一设计尺寸的硅纳米线，在薄膜晶体管的制备过程中，硅纳米线可由具有设计直径的引导颗粒的引导下形成，通过改变引导颗粒的设计直径，可以制备得到具有相应设计尺寸的硅纳米线。因此，能够避免使用掩模工艺制备硅纳米线，从而能够降低薄膜晶体管的生产成本。而且，相较于现有的有源结构，硅纳米线具有载流子迁移率高、均匀性高的特点，从而能够提高薄膜晶体管的性能，能够降低薄膜晶体管的功耗。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113394299 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 202110665949.3 H01L 27/32 (2006.01)
(22)申请日 2
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