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本发明公开了一种两步法制备Ag反射镜的垂直结构LED芯片及其制备方法,包括在Si衬底上制备LED外延层,在LED外延层制备Ni/Ag‑contact/Ag‑bulk/X反射镜、保护层、键合层、p电极图案等;再将外延层转移至Si(100)衬底上,剥离旧的生长衬底;接着制备MESA沟道和PA层、n电极图案、n电极,形成垂直结构LED芯片。本发明通过低频射频溅射和直流溅射引入Ag‑contact层,改善了对p‑GaN产生的损伤,对Ag‑contact退火而对Ag‑bulk层不退火,既能提高p‑GaN空
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 108336197 A
(43)申请公布日
2018.07.27
(21)申请号 20181
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