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存储器装置.pdfVIP

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    本发明抑制存储器阵列的尺寸增加。一实施方式的存储器装置具备：第1导电体及电荷累积膜，沿与衬底的表面交叉的第1方向延伸；第1导电型的第1半导体；各自为第2导电型的第2半导体及第3半导体；及第1积层体，包含各自沿与衬底的表面平行的第1面内的第2方向延伸、且沿第1方向依序积层的第2导电体、第1绝缘体、及第3导电体。第1导电体、电荷累积膜、第1半导体、及第1积层体在衬底的上方，在第1面内沿与第2方向交叉的第3方向依序排列。在第2导电体或第1绝缘体与电荷累积膜之间，第2半导体与第1半导体及第2导电体相接。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113302738 A (43)申请公布日 2021.08.24 (21)申请号 201980089157.7 (51)Int.Cl.

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