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一种半导体装置及形成半导体装置的方法,形成半导体装置的方法包括:在基板上方沉积虚设半导体层及第一半导体层;在虚设半导体层的侧壁上形成多个间隔物;在基板中形成第一磊晶材料;暴露虚设半导体层及第一磊晶材料,其中暴露虚设半导体层及第一磊晶材料的步骤包括薄化基板的背侧的步骤;蚀刻虚设半导体层以暴露第一半导体层,其中间隔物在蚀刻虚设半导体层同时保留于第一半导体层的末端部分上方且与末端部分接触;使用间隔物作为遮罩来蚀刻第一半导体层的数个部分;及用背侧通孔替换第二磊晶材料及第一磊晶材料,背侧通孔电耦接至第一晶
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113314468 A
(43)申请公布日 2021.08.27
(21)申请号 202110591702.1 H01L 27/092 (2006.01)
(22)申请日
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