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本发明公开了光电器件领域内的,特别设计一种Micro‑LED芯片制备和衬底剥离方法。该Micro‑LED芯片制备和衬底剥离方法包括如下步骤:步骤一、在透明衬底上均匀涂敷紫外胶;步骤二、在涂敷有紫外胶的透明衬底上生长Al2O3薄膜和LED薄膜结构;步骤三、在Al2O3薄膜和LED薄膜结构上形成分立的Micro‑LED结构;步骤四、用紫外面光源照射透明衬底背面,透明衬底与Al2O3薄膜之间的紫外胶脱敏失去粘性,达到Micro‑LED结构与透明衬底相分离的目的,形成Micro‑LED芯片。本发明可以快
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113299804 B
(45)授权公告日 2022.07.29
(21)申请号 202110726848.2 (56)对比文件
(22)申请日 2021.06.29
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