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本发明公开了一种PVP掺杂氧化锌薄膜及其制备方法和应用,属于钙钛矿太阳能电池组件领域,氧化锌是一种与二氧化钛具有相近导带能级的半导体材料,与需要高温烧结的二氧化钛层不同之处在于,氧化锌可以在低温条件下通过溶液法制成不同形貌的纳米材料,如纳米颗粒、纳米球、纳米片以及纳米棒阵列等,且易于掺杂。且氧化锌单晶中电子的室温霍尔迁移率高达200cm2V‑1s‑1,远高于二氧化钛;另一方面,在前驱体溶液中加入高分子材料调控氧化锌纳米材料的薄膜性能,进而可以得到高质量的功能薄膜。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113285034 A
(43)申请公布日 2021.08.20
(21)申请号 202110546769.3 (51)Int.Cl.
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