原创力文档- 1、本文档共16页，其中可免费阅读15页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
本发明提供一种半导体器件的制备方法、半导体器件及存储装置，本发明提供的半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底包括预设的第一区域和第二区域；对第二区域进行氮离子掺杂；在第一区域和第二区域上分别形成第一栅氧化层和第二栅氧化层；以及，形成第一电极与第二电极分别于第一栅氧化层与第二栅氧化层上，从而能够制备具有不同栅氧化层的半导体器件，同时还能解决半导体器件中栅氧化层变薄时单位面积电容降低的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113257739 A
(43)申请公布日 2021.08.13
(21)申请号 202110475452.5 H01L 27/1157 (2017.01)
文档评论（0）