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本申请案涉及集成电路、存储器电路、用于形成集成电路的方法以及用于形成存储器电路的方法。一种用于形成集成电路的方法包括在衬底上方形成水平间隔开的导电通孔。直接在所述导电通孔上方且直接抵靠着所述导电通孔形成传导材料。图案化所述传导材料以形成个别导电线，所述个别导电线个别地直接在纵向地沿所述相应个别导电线间隔开的多个所述导电通孔上方。所述图案化形成所述个别导电线以具有纵向交替的较宽区和较窄区。所述较宽区直接在所述导电通孔的个别的顶部表面上方且直接抵靠着所述顶部表面，且在所述顶部表面处的水平横截面中相对
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114863966 A
(43)申请公布日 2022.08.05
(21)申请号 202111313549.2
(22)申请日 2021.11.08
(30)优先权数据
17/166,342 2021
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