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本发明公开了一种光刻胶返工工艺方法，包括以下步骤：S1、将待处理的晶片放置在第一定位台上，使存在光刻胶的一面朝向第一喷淋头；S2、第一喷淋头喷出丙酮对待处理的晶片进行喷淋；S3、将丙酮喷淋后的晶片移至第二定位台，使受到丙酮喷淋的一面朝向第二喷淋头；S4、第二喷淋头喷出清水对丙酮喷淋后的晶片进行刷洗。本发明采用丙酮溶液对待处理的蓝宝石晶片进行喷淋，喷淋后可直接使用清水对蓝宝石晶片进行刷洗，减少了50％丙酮溶液的用量，大大降低了成本，并且无需采用浓硫酸对蓝宝石晶片进行二次处理，减少了浓硫酸的使用，进
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113284791 A
(43)申请公布日 2021.08.20
(21)申请号 202110451837.8
(22)申请日 2021.04.26
(71)申请人 拓思精工科技（苏州）有限公司
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